Carboneto de silício de produto de alto nível

TMAH pode aumentar significativamente o potencial zeta decarboneto de silícioPó e reduza a viscosidade da pasta, otimizando significativamente as propriedades reológicas da pasta. Em pH cerca de 1 0, o potencial zeta aumentou em 11,7 mV e 21 mV, respectivamente, depois de adicionar 0. 3% e 0,6% tmah. O dispersante excessivo aumentará a concentração de íons na pasta e levará a uma diminuição na espessura da camada dupla elétrica, piorando assim a reologia da pasta.

1.Um método para preparar filmes finos modificados por silício em sinterizado reativocarboneto de silícioOs materiais (RB-SIC) usando uma fonte de íons do tipo salão para ajudar a evaporação do feixe de elétrons e o efeito de polimento dos filmes modificados em diferentes taxas de deposição foi estudado. As medições de espalhamento e reflexão da superfície foram realizadas nas amostras. As micrografias das amostras mostram que a estrutura da camada de filme de silício tende a ser solta sob a condição de aumentar a taxa de deposição. Após polir finamente a sinterização reativa das amostras de carboneto de silício revestidas com filmes modificados por silício, o coeficiente de espalhamento de superfície diminui para 1,46%e a refletividade é próxima da da bem-polida cerâmica de vidro. O teste de choque de temperatura e o teste de tração à superfície mostram que o filme de silício não tem rachaduras e queda, é estável de natureza e tem uma boa combinação com o substrato de carboneto de silício.

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