Método de síntese de alta temperatura para produzir carboneto de silício
Fluxo do processo de carboneto de silício: ambiente de temperatura ultra-alta: aquecimento a mais de 2500 graus através do plasma ou arco para obter reação instantânea. Síntese rápida: o tempo de reação é reduzido para várias horas e a SiC de alta pureza é gerada diretamente.
Vantagens: o produto possui alta pureza (＞ 99,9%) e excelente estrutura cristalina.
Não há produtos intermediários, adequados para a preparação do sic nano-escala. Desvantagens: equipamentos caros e consumo de energia extremamente alto. A tecnologia é difícil e difícil de aplicar em larga escala. Aplicação: Campos de ponta, como semicondutores e revestimentos ópticos. Outros processos: deposição de vapor químico (DCV): usado para filme fino ou sic sic sic, o custo é extremamente alto. Método Sol-Gel: Adequado para pequenos lotes de nano-SiC em laboratório, e a industrialização é difícil.
Parâmetros de carboneto de silício
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Marca registrada |
Zhenan |
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Produto |
Carboneto de silício |
| Tamanho de partícula | Abrasivo |
| Tamanho refratário | 0-1 mm 0-10 mm 0-100 mm |
Como fazer o pedido
R: Comprador Enviar Inquérito → Obter citação de carboneto de silício → Confirmação do pedido → Comprador Organizar 30% de depósito → Produção começou após o recebimento do depósito → Inspeção estrita durante a produção → Comprador Organizar saldo Pagamento →
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