Nitreto de silício de produto de alto nível

Microestruturas de mosaico de silício parcialmente cristalizadas encontradas emnitreto de silícioFilmes preparados por LPCVD. Dependendo das condições de crescimento e do processo, a escala da estrutura varia de dezenas a centenas de nanômetros. Based on the stress test results and transmission electron microscopy observation results of SiNx films grown under different conditions, the genesis of the microstructure of silicon-rich SiNx films and their interaction with the stress in the film were analyzed, and the LPCVD growth process of silicon-rich SiNx films was optimized, which greatly reduced the tensile stress of the film, and the unsupported film-forming area could reach 40mm × 40mm. Com base nos resultados deste estudo, o crescimento controlado das membranas Sinx com tensão de tração determinada foi realizada pelo LPCVD.

1.Nitreto de silícioOs filmes finos (sin _ x) foram preparados por tecnologia de deposição de vapor químico de baixa pressão (LPCVD) usando silano e amônia como fontes de silício e nitrogênio, respectivamente, e nitrogênio de alta pureza como gás transportador. A cinética de crescimento dos filmes Sin _ x foi estudada por elipsometria, as propriedades dos filmes do Sin _ X foram caracterizados por espectroscopia de infravermelho de Fourier e a espectroscopia de raios-X. Sob as mesmas condições de outros processos, a taxa de crescimento do filme sin _ x aumenta monotonicamente com o aumento da pressão de trabalho e a proporção (r) da taxa de fluxo de amônia para silano no gás de alimentação tem um efeito oposto na taxa de crescimento do filme. À medida que a temperatura da reação aumenta, a taxa de deposição aumenta gradualmente, atingindo um máximo de 840 graus e depois diminuindo rapidamente. Quando R2 é usado, é obtido um sin rico em Si _ x fino (x1.33). Quando R4 é usado, é obtido um filme sin _ x com quase-stoichiométrico (Z≈1,33).

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