Silicon Carbie Powder para moer polimento

A fabricação do carboneto de silício envolve vários processos complexos. Um dos métodos primários é o processo de Acheson, que foi desenvolvido no final do século XIX. Nesse processo, uma mistura de areia de sílica e coque de petróleo é aquecida em um forno de resistência elétrica para temperaturas em torno do grau 2000 - 2500. A alta temperatura causa uma reação química entre o dióxido de silício na areia e no carbono na Coca -Cola, resultando na formação de carboneto de silício. No entanto, o processo Acheson normalmente produz carboneto de silício com impurezas, o que requer mais etapas de purificação.

As técnicas modernas de fabricação concentram -se na produção de carboneto de silício de alta pureza e pureza, para aplicações de semicondutores. A deposição de vapor químico (DCV) é um método amplamente utilizado para o cultivo de cristais únicos de alta qualidade. Na DCV, uma mistura de silício volátil - contendo e contendo precursores contendo carbono é introduzido em um reator de alta temperatura. Esses precursores decompõem e depositam átomos de silício e carbono em um cristal de semente, gradualmente cultivando um buem grande e único de cristal. O processo de crescimento precisa ser controlado com precisão para garantir a qualidade do cristal, pois quaisquer defeitos podem afetar significativamente o desempenho dos dispositivos baseados em SIC. Após o crescimento do cristal, os boules são cortados, polidos e processados ​​em bolachas, que são usadas para fabricar vários dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos baseados em SiC.

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