Dureza excepcional e força mecânica
Dureza mohs de ~ 9,5, perdendo apenas para diamante e nitreto de boro.
Altoresistência ao desgaste, tornando -o ideal para aplicações abrasivas (por exemplo, rodas de moagem, ferramentas de corte).
Mantém a estabilidade mecânica mesmo sob estresse extremo.
Propriedades de semicondutores amplas
BandGap de 3,26 eV (4H-SIC), significativamente maior que o silício (1,12 eV).
Ativa a operação emtensões mais altas, temperaturas e frequências.
Reduz as perdas de energia em eletrônicos de energia.
Altoforça crítica do campo elétrico(10x o de silício), permitindo projetos de dispositivos mais finos e eficientes.
Propriedades térmicas excelentes
Alta condutividade térmica (~ 490 W/m · k para 4H-SiC à temperatura ambiente), superando a maioria dos metais e semicondutores.
Excelentedissipação de calor, crucial para eletrônicos de potência e dispositivos de alta frequência.
Estabilidade térmica de até 1.600 graus(Ponto de fusão ~ 2.700 graus), adequado para ambientes extremos (por exemplo, aeroespacial, reatores nucleares).
Vantagens -chave vs. materiais tradicionais
| Propriedade | Carboneto de silício (sic) | Silício (SI) | Nitreto de gálio (GaN) |
|---|---|---|---|
| BandGap (EV) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| Condutividade térmica | Alto (~ 490 W/m · k) | Baixo (~ 150 W/m · k) | Moderado (~ 253 W/m · k) |
| Temp de operação máxima. | ~ 600 graus + | ~ 150 graus | ~ 300 graus |
| Força do campo elétrico | 10x Si | Linha de base | ~ 3x si |
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