Material de alto nível Silicon Metal

Material de alto nível Silicon Metal

Um método ICP-AES para a determinação de 14 elementos de impureza como B, Fe, AL, CA, Mn e assim por diante no metal de silício.
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Descrição

Descrição dos produtos

 

Um revestimento metalúrgico de silicieto metálico de solidificação rápida comsilício metálicoCr3Si como fase de reforço e siliceto polimetálico complexo Cr2 Ni3Si como matriz foram preparados na superfície do aço inoxidável 1Cr18Ni9Ti por tecnologia de deposição a laser usando pó pré-ligado de Cr-Si-Ni como matéria-prima, e sua resistência ao desgaste foi avaliada sob condições de desgaste por deslizamento, e a resistência à corrosão eletroquímica do revestimento em 0 0,5 mol/L de H2SO4 e solução de NaCl a 3,5% foi avaliada por polarização anódica método.

 

Parâmetros de produtos

Jardim Composição
Conteúdo Si (%) Impurezas (%)
Fe Al Ca P
Silício Metal 1501 99.69 0.15 0.15 0.01 Menor ou igual a 0. 004%
Silício Metal 1502 99.68 0.15 0.15 0.02 Menor ou igual a 0,004%
Silício Metal 1101 99.79 0.1 0.1 0.01 Menor ou igual a 0,004%
Silício Metálico 2202 99.58 0.2 0.2 0.02 Menor ou igual a 0. 004%
Silício Metal 2502 99.48 0.25 0.25 0.02 Menor ou igual a 0. 004%
Silício Metálico 3333 99.37 0.3 0.3 0.03 Menor ou igual a 0,005%
Silício Metal 411 99.4 0.4 0.1 0.1 Menor ou igual a 0,005%
Silício Metálico 421 99.3 0.4 0.2 0.1 --
Silicon Metal 441 99.1 0.4 0.4 0.1 --
Silício Metálico 551 98.9 0.5 0.5 0.1 --
Silício Metálico 553 98.7 0.5 0.5

0.3

--
Silício metálico fora de qualidade 96 2 1 1 --

 

Imagem de cooperação de produtos

ZhenAn7

1.Depois que a matriz foi removida por volatilização de HF, 23 elementos de impureza como Fe, Al, Ti, CA, Cu, AS e Pb foram determinados quantitativamente por espectroscopia plasmática indutivamente acoplada (ICP-AES) ao mesmo tempo e o conteúdo de conteúdo de o elemento da matrizSilicon Metalfoi calculado pelo método de subtração diferencial. A influência da interferência entre os elementos coexistentes foi testada, as linhas de análise elementar e os parâmetros de trabalho do instrumento foram otimizados, e o método de correção de fundo síncrona e o método do coeficiente K foram usados ​​para eliminar a influência da interferência entre os elementos coexistentes e os fatores físico-químicos de atomizados injeção da solução teste. O método é simples e rápido, fácil de operar e dominar, e resultados satisfatórios foram obtidos na determinação da recuperação, precisão e limite de detecção.

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