Descrição
as vantagens do carboneto de silício
Se apenas os chips de carboneto de silício forem considerados, em comparação com os chips de potência tradicionais à base de silício, o carboneto de silício tem vantagens incomparáveis no campo de semicondutores de potência: pode suportar correntes e tensões mais altas, tem velocidades de comutação mais altas, menos perda de energia e melhor desempenho em altas temperaturas. Portanto, o módulo de potência feito de carboneto de silício pode reduzir correspondentemente o número de componentes, como capacitores, indutores, bobinas e componentes de dissipação de calor, tornando todo o módulo do dispositivo de potência mais leve, economizador de energia e mais potência de saída, ao mesmo tempo que aumenta a confiabilidade. Essas vantagens são óbvias.
Do ponto de vista das aplicações terminais, os materiais de carboneto de silício têm sido amplamente utilizados em ferrovias de alta velocidade, eletrônica automotiva, redes inteligentes, inversores fotovoltaicos, eletromecânica industrial, data centers, produtos da linha branca, eletrônicos de consumo, comunicações 5G, monitores de próxima geração e outros campos, e o potencial de mercado é enorme. Tanto dentro como fora da indústria reconheceram o enorme potencial de aplicação do carboneto de silício no futuro e traçaram um após o outro, de modo que a "trilha dourada" é digna desse nome.
Carboneto de silício lidera o futuro
Do ponto de vista da aplicação, o carboneto de silício é conhecido como “trilha de ouro”, o que não é demais.
Atualmente, a fim de maximizar as características dos materiais de carboneto de silício e nitreto de gálio, a solução ideal é o crescimento epitaxial em substratos de cristal único de carboneto de silício. Ou seja, uma camada epitaxial de carboneto de silício é cultivada sobre o carboneto de silício para a fabricação de dispositivos de energia; A camada epitaxial de nitreto de gálio cultivada em carboneto de silício pode ser usada para fabricar dispositivos de energia de média e baixa tensão e alta frequência (menos de 650 V), dispositivos de RF de micro-ondas de alta potência e dispositivos optoeletrônicos. Este método é atualmente amplamente utilizado na fabricação de chips de carboneto de silício e nitreto de gálio.
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