Carboneto de silício de grau semicondutor – impulsionando o futuro
Electronic-grade silicon carbide (6H/4H polytypes) sets new benchmarks with: Resistivity: >1x10⁵ Ω·cm, Densidade do microtubo:<1 cm⁻²
Rugosidade da superfície: Ra Menor ou igual a 0,2 nm (pronto para EPI) Nossos wafers tipo N de 150 mm (4 graus fora do eixo) permitem a produção de MOSFET SiC de 3,3 kV com taxas de rendimento de 99,7%, essenciais para infraestrutura de carregamento de EV.
Aplicativos modificados
SiC dopado: Alumínio (5x10¹⁸ átomos/cm³) para contatos ôhmicos
Substratos epitaxiais de SiC: espessura de 10-100μm com variação de espessura menor ou igual a 5%
Quantum-grade SiC: NV center density >500/mm³ para detecção quântica
Parâmetros de carboneto de silício
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Marca registrada |
Zhen An |
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Produto |
Carboneto de Silício |
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Pureza |
88% 90% 98% |
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Forma |
Grão e pó |
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Código HS |
284920 |
Liderança de Qualidade
Operando salas limpas Classe 100 (ISO 14644-1), implementamos controles de processo VDA 6.3 e conformidade SEMI S2/S8. Em parceria com o Fraunhofer Institute, desenvolvemos tecnologia proprietária de mapeamento de defeitos, atingindo níveis de contaminação metálica de 0,02 ppb. Nossos kits de envio de wafer apresentam cassetes selados com nitrogênio com rastreamento de umidade em tempo real.
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