Qual é a diferença entre nitreto de silício Ferro e nitreto de silício? Qual é o preço do Ferrosilicon hoje?

Nitreto de silício Ferroe nitreto de silício são materiais metalúrgicos diferentes com pontos de ebulição distintos, pontos de fusão e funções {{0}}, enquanto seus nomes são semelhantes, suas funções reais diferem significativamente . nitreto de silício entre o silício de nitrogenos 13 (1}}} gasida entre os nitrogenos. + 2 n2 (g) → Si3N4 (s) Como alternativa, o nitreto de silício pode ser sintetizado usando diimida: sicl4 (l) + 6 h3 (g) → Si (NH) 2 (s) + 4 h4Cl (S) ATS 0. Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2 (g) At 1000℃, or by carbon thermal reduction reaction at 1400–1450℃in a nitrogen atmosphere: 3 SiO₂(s) + 6 C(s) + 2 N₂(g) → Si₃N₄(s) + 6 CO(g) The O método de síntese envolvendo o tratamento de nitregação do pó de silício foi desenvolvido na década de 1950 após a "redescoberta" do nitreto de silício .

Foi também o primeiro método usado para a produção em larga escala de nitreto de silício em pó ., no entanto, se o material prático do silício utilizado tiver baixa pureza, o nitreto de silício resultante contém impurezas como o silicato e o método de silicatos e o.} nitreto e síntese-sinetimizado usando o diário 14 Atmosfera de nitrogênio para convertê -lo em pó cristalino . O método de decomposição de diamina é o segundo método comercial mais importante para produzir nitreto de silício após o método de nitragem .

The carbon thermal reduction reaction is the simplest method for producing silicon nitride and the most cost-effective means of manufacturing silicon nitride powder industrially. Electronic-grade silicon nitride films are produced using chemical vapor deposition (CVD) or plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technology: 3 SiH₄(g) + 4 NH₃ (g) → Si₃n₄ (s) + 12 h₂ (g) 3 sicl4 (g) + 4 NH3 (g) → Si3n4 (s) + 12 hcl (g) 3 sicl2h2 (g) {}}} + 6 hcl (g) + 6 h2 (g)

Existem dois métodos disponíveis para depositar nitreto de silício em um substrato semicondutor: a deposição de vapor químico de baixa pressão (CVD) é realizada a temperaturas relativamente altas usando os fornos de tubo vertical ou horizontal .} de deposição química plasma (pecv) .} depositores químicos plasma (pecv) é executado em execução relativa em execução em desempenho.}}

Os parâmetros da célula unitária do nitreto de silício diferem daqueles do silício elementar. Portanto, dependendo do método de deposição, os filmes de nitreto de silício resultantes podem exibir tensão ou estresse. Em particular, ao usar a deposição de vapor químico aprimorada por plasma (PECVD), a tensão pode ser reduzida ajustando os parâmetros de deposição.

Primeiro, a sílica é preparada usando o método sol-gel e, em seguida, o gel de sílica que contém partículas de carbono ultrafino é tratado simultaneamente usando o método de redução térmica de carbono e nitridação para obter nanofios de nitreto de silício .

As partículas de carbono ultra-finas no gel de sílica são produzidas pela decomposição da glicose a 1200 a 1350 graus . as reações envolvidas no processo de síntese podem ser: siO₂ (s) + c (s) → sio (g) + co) 3 sio (g) + 2 Si₃n₄ (s) + 3 co₂ (g) ou 3 sio (g) + 2 n₂ (g) + 3 c (s) → si₃n₄ (s) + 3 co (g)